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Acacia 2018财年中期经营情况数据摘要

发布时间:2018-09-16浏览次数:329

2018年8月3日,科技部发布《关于国家重点研发计划“智能机器人”等重点专项2018年度项目申报指南的通知》(国科发资[2018]108号),包含智能机器人、现代服务业共性关键技术研发及应用示范、可再生能源与氢能技术、综合交通运输与智能交通、网络协同制造和智能工厂、核安全与先进核能技术、制造基础技术与关键部件7个重点专项。其中,10项先进传感器课题被列入“制造基础技术与关键部件”专项中。

各个研究课题的研究内容和考核指标具体如下:

1、高性能硅压力、加速度、角速度传感器前沿技术(基础前沿技术类)

研究内容:研究新型谐振式硅传感器敏感原理和结构;研究传感器非线性效应、耦合效应、温度效应及工艺误差影响;研究传感器优化设计、制造工艺精确控制、低应力封装等关键技术;开发闭环信号检测与控制电路系统集成技术;研制高精度硅压力传感器、加速度传感器、角速度传感器原型器件,并在流程工业与机器人领域试用验证。

考核指标:压力传感器量程0~1MPa,精度优于0.01%FS;加速度传感器量程±15g,零偏稳定性优于1μg;角速度传感器量程±200dddd°/s,零偏稳定性优于0.1dddd°/h。

2、基于量子效应的微纳传感器前沿技术(基础前沿技术类)

研究内容:研究基于量子效应的芯片式角速度传感器、磁场传感器设计方法;研究传感器电子自旋-核自旋相互作用机理、温度效应;研究谐振频率控制、微型腔室制备、真空封装等关键技术;开发激光器、探测器、处理电路系统集成技术;研制高精度角速度传感器、磁场传感器原型器件,并在重大技术装备中试用验证。

考核指标:角速度传感器表头体积≤100cm3,量程±200dddd°/s,零偏稳定性优于0.1dddd°/h;磁场传感器表头体积≤10cm3,灵敏度优于10fT/Hz1/2。

3、无线无源微纳传感器前沿技术(基础前沿技术类)

研究内容:研究微型化声表面波(SAW)、电感-电容(LC)无线传感器设计;研究传感器多参数敏感的耦合效应;研究传感器结构优化设计、曲面衬底上传感器制备工艺、封装、工业环境无线信号传输等关键技术;开发信号调制解调技术及处理电路系统集成技术;研制SAW和LC多参数检测传感器原型器件,并在燃气轮机主轴、轴承健康状况监测中试用验证

考核指标:SAW传感器:温度量程-40℃~+1000℃,误差±1%;应变量程±3000με,误差±1%;气压量程0~4MPa,误差±1%。LC传感器:温度量程-20℃~+120℃,误差±1%;应变量程±1000με,误差±1%;振动量程±6g,误差±1%。

4、微纳传感器与电路协同设计技术及设计工具(共性关键技术类)

研究内容:建立热/机械/电学多物理场耦合模型、硅表面加工与体加工工艺模型、闭环控制传感器宏模型;研究具有完全自主知识产权、包含器件级、工艺级、系统级设计功能的微纳传感器综合设计工具;研究微纳传感器与电路协同设计技术,并实现与集成电路(LC)设计工具的无缝连接;形成集成传感器知识产权(IP),IP经过生产线验证。

考核指标:器件级耦合分析自由度≥1*107;工艺级仿真与实验偏差优于5%;系统级仿真与实验偏差优于10%;闭环控制集成传感器IP不少于3种,软件销售≥10套。

5、微纳传感器与电路单片集成工艺技术及平台(共性关键技术类)

研究内容:研究在同一芯片上制造微纳传感器与IC的工艺技术;以互补-金属-氧化物-硅(CMOS)工艺线为基础,研究与CMOS工艺兼容的微纳传感器表面加工、体加工、硅直接键合加工等关键技术;建立可量产的微纳传感器与电路单片集成制造技术并形成标准制程规范,实现单片集成微纳传感器规模化生产。

考核指标:圆片直径≥150mm,单片集成传感器成品率≥80%,成套制程规范或标准≥3项;服务用户数≥3家,开发单片集成传感器不少于3种,生产能力≥5000片/年,销售单片集成传感器≥100万只。

6、圆片级真空封装及其测试技术于平台(共性关键技术类)

研究内容:研究微机电系统(MEMS)圆片级真空封装设计技术;研究圆片级多层布线、金属和 绝缘薄膜平坦化技术、低温键合、吸气剂生长及激活、真空测试等关键技术;研究可量产的圆片级真空封装技术并形成标准制程规范,实现多种器件规模化圆片级真空封装。

考核指标:圆片直径≥150mm,圆片级封装真空度≤0.1Pa,漏率≤5.0*10-12Pa·m3/s,真空封装成品率≥90%,真空封装器件种类≥3种;成套标准制程规范≥3个,服务用户数≥3个,生产能力≥5000片/年,销售量≥1万只。

7、高温硅压力传感器关键技术及应用(应用示范类)

研究内容:研究高可靠性MEMS高温硅压力传感器结构优化技术;研究低应力无引线封装、温度补偿、高温专用电路(ASIC)芯片等关键技术;开发测控接口电路;实现批量化生产并在重大技术装备中应用。

考核指标:温度范围-55℃~+225℃,量程0~200kPa、0~60MPa,精度优于0.25%FS,零点漂移优于2%FS@100℃,长期稳定性优于0.1%FS/年,固频率≥200kHz,过载压力≥2倍额定压力;形成传感器芯片制造、封装到应用的产业化链,生产能力≥5000套/年,销售量≥1000套。

8、单片集成多轴传感器关键技术及应用(应用示范类)

研究内容:研究单芯片集成多轴传感器可复用的模块化设计技术;研究传感器单面微机械加工工艺、芯片内薄膜真空封装等关键技术;开发多轴传感器信号处理、融合与测试技术;形成单芯片集成多轴传感器制程规范,实现批量化生产并在大型起重输运装备、电梯生产线等行业应用。

考核指标:晶圆直径≥150mm,成品率≥90%;单片三轴磁场传感器分辨率优于50nT,单片三轴加速度传感器分辨率优于100μg,单片三轴角速度传感器偏置稳定性优于1dddd°/h,单片三分量应力传感器分辨率优于10kPa;生产能力≥5000片/年,销售量≥100万只。

9、无线红外高温微纳传感器关键技术及应用(应用示范类)

研究内容:研究硅基红外传感器设计优化、制造工艺、封装、可靠性、测试等关键技术;研究工业现场环境下,高精度、非接触、红外高温温度测量技术;开发无线能量收集及信号传输技术;实现无线红外高温微纳传感器批量化生产,并在高温熔炼炉监测中应用。

考核指标:传感器量程600℃~1600℃,误差±0.5%,响应时间≤20ms,生产能力≥5000套/年,销售量≥1000套。

10、运动部件壁面温度微纳传感器关键技术及应用(应用示范类)

研究内容:研究微纳温度传感器优化设计方案;研究运动部件曲面基底上高温绝缘层、缓冲层、温度敏感层的原位制造和微加工技术;研究微纳温度传感器在高温、高速、强振等恶劣环境下的可靠性;研究传感器标定、信号无线引出及多传感器系统集成技术;实现微纳温度传感器批量化生产,并在重大技术装备中示范应用。

考核指标:传感器量程100℃~1300℃,误差±1.0%;响应时间≤10ms,无线传递距离≥2mm;抗振动1000Hz/20g,抗冲击100g/8ms半正弦波,生产能力≥5000套/年,销售量≥1000套。

按照指南要求,共性关键技术类项目及应用示范类项目均需由企业牵头申报,所有专项实施周期为5年(2018-2022年)。

项目申报单位网上填报预申报书的受理时间为2018年8月20日8:00至9月25日17:00。

项目申报可由国务院有关部门科技主管司局、省级科技主管部门、原工业部门转制成立的行业协会、纳入科技部试点范围并评估结果为A类的产业技术创新战略联盟,以及纳入科技部、财政部开展的科技服务业创新发展行业试点联盟推荐,推荐单位名单在国家科技管理信息系统公共服务平台上公开发布。

项目具体申报要求、评审流程、申报资格要求以及申报方式,可见附件。